Chinese Word: 沟道 - Talking Chinese English Dictionary

沟 gōu 道 dào (Trad.: 溝道)

groove

1		zhè zhǒng 这种 jié gòu 结构 de 的 gōu dào 沟道 zhōng 中 tián mǎn 填满 jīn shǔ 金属。 Once these structures are in place, the trenches made by the stamp are filled with metal.
2		rǎn ā ràng 冉阿让 gǎn dào 感到 gōu dào 沟道 zài 在 jiǎo xià 脚下 xiàn luò 陷落 le 了， tā 他 tà jìn 踏进 le 了 ní jiāng 泥浆。 Jean Valjean felt the pavement vanishing beneath his feet. He entered this slime.
3		rú guǒ 如果 chān 掺 guī 硅 lán 栏 N ， zé 则 MOSFET bèi 被 chēng wéi 称为 N沟道 qì jiàn 器件。 If the silicon bar is doped N, then the MOSFET is called an N-channel device.
4		yīn cǐ 因此， kòng zhì 控制 hé 和 zhì lǐ 治理 gōu dào 沟道 de 的 ní shā 泥沙 jiù 就 chéng 成 le 了 jiě jué 解决 huáng hé 黄河 wèn tí 问题 de 的 guān jiàn 关键。 Therefore, control and sediment control channel becomes the key to solving the problem of the Yellow River.
5		běn 本 fā míng 发明 shè jí 涉及 yì zhǒng 一种 jù yǒu 具有 chuí zhí 垂直 gōu dào 沟道 jié gòu 结构 de 的 chǎng 场 xiào yìng 效应 jīng tǐ guǎn 晶体管， jí 及 tā 它 de 的 zhì bèi 制备 fāng fǎ 方法。 The present invention relates to one kind of FET with vertical channel structure and its preparation process.

1		zhè zhǒng 这种 jié gòu 结构 de 的 gōu dào 沟道 zhōng 中 tián mǎn 填满 jīn shǔ 金属。 Once these structures are in place, the trenches made by the stamp are filled with metal.
2		rǎn ā ràng 冉阿让 gǎn dào 感到 gōu dào 沟道 zài 在 jiǎo xià 脚下 xiàn luò 陷落 le 了， tā 他 tà jìn 踏进 le 了 ní jiāng 泥浆。 Jean Valjean felt the pavement vanishing beneath his feet. He entered this slime.
3		rú guǒ 如果 chān 掺 guī 硅 lán 栏 N ， zé 则 MOSFET bèi 被 chēng wéi 称为 N沟道 qì jiàn 器件。 If the silicon bar is doped N, then the MOSFET is called an N-channel device.
4		yīn cǐ 因此， kòng zhì 控制 hé 和 zhì lǐ 治理 gōu dào 沟道 de 的 ní shā 泥沙 jiù 就 chéng 成 le 了 jiě jué 解决 huáng hé 黄河 wèn tí 问题 de 的 guān jiàn 关键。 Therefore, control and sediment control channel becomes the key to solving the problem of the Yellow River.
5		běn 本 fā míng 发明 shè jí 涉及 yì zhǒng 一种 jù yǒu 具有 chuí zhí 垂直 gōu dào 沟道 jié gòu 结构 de 的 chǎng 场 xiào yìng 效应 jīng tǐ guǎn 晶体管， jí 及 tā 它 de 的 zhì bèi 制备 fāng fǎ 方法。 The present invention relates to one kind of FET with vertical channel structure and its preparation process.